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电路设计中电容的作用与选取

发布时间:2017-07-07浏览次数:86

 作为无源元件之一的电容,其作用不外乎以下几种:

1、应用于电源电路,实现旁路、去藕、滤波和储能的作用,下面分类详述之:

1)旁路

旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件,它能使稳压器的输出均匀化,降低负载需求。就像小型可充电电池一样,旁路电容能够被充电,并向器件进行放电。为尽量减少阻抗,旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地弹是地连接处在通过大 电流毛刺时的电压降。

2)去藕

去藕,又称解藕。从电路来说,总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大,驱动电路要把电容充电、放电,才能完成信号的跳变,在上升沿比较陡峭的时候,电流比较大,这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流,由于电路中的电感,电阻(特别是芯片管脚上的电感,会产生反弹),这种电流相对 于正常情况来说实际上就是一种噪声,会影响前级的正常工作。这就是耦合。

去藕电容就是起到一个电池的作用,满足驱动电路电流的变化,避免相互间的耦合干扰。

将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去藕合的,只是旁路电容一般是指高频旁路,也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防 途径。高频旁路电容一般比较小,根据谐振频率一般是0.1u,0.01u等,而去耦合电容一般比较大,是10uF或者更大,依据电路中分布参数,以及驱动 电流的变化大小来确定。

旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象,而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象,防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。

3)滤波

从理论上(即假设电容为纯电容)说,电容越大,阻抗越小,通过的频率也越高。但实际上超过1uF的电容大多为电解电容,有很大的电感成份,所以频率 高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容,这时大电容通低频,小电容通高频。电容的作用就是通高阻低,通高频阻低频。电容越大低频越容易通过,电容越大高频越容易通过。具体用在滤波中,大电容(1000uF)滤低频,小电容(20pF)滤高频。曾有网友将滤波电容 比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变,由此可知,信号频率越高则衰减越大,可很形象的说电容像个水塘,不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化,频率越高,峰值电流就越大,从而缓冲了电压。滤波就是充电,放电的过程。

4)储能

储能型电容器通过整流器收集电荷,并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40~450VDC、电容值在220~150 000uF之间的铝电解电容器(如EPCOS公司的B43504或B43505)是较为常用的。根据不同的电源要求,器件有时会采用串联、并联或其组合的形式,对于功率级超过10KW的电源,通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。

2、应用于信号电路,主要完成耦合、振荡/同步及时间常数的作用:

1)耦合

举个例子来讲,晶体管放大器发射极有一个自给偏压电阻,它同时又使信号产生压降反馈到输入端形成了输入输出信号耦合,这个电阻就是产生了耦合的元 件,如果在这个电阻两端并联一个电容,由于适当容量的电容器对交流信号较小的阻抗,这样就减小了电阻产生的耦合效应,故称此电容为去耦电容。

2)振荡/同步

包括RC、LC振荡器及晶体的负载电容都属于这一范畴。

3)时间常数

这就是常见的R、C串联构成的积分电路。当输入信号电压加在输入端时,电容(C)上的电压逐渐上升。而其充电电流则随着电压的上升而减小。电流通过电阻(R)、电容(C)的特性通过下面的公式描述:

    i = (V/R)e-(t/CR)

 

通常音频电路中包括滤波、耦合、旁路、分频等电容,如何在电路中更有效地选择使用各种不同类型的电容器对音响音质的改善具有较大的影响。

1.耦合电容

  耦合电容的容量一般在0.1μF~1μF之间,以使用云母、丙烯、陶瓷等损耗较小的电容音质效果较好。

2.前置放大器、分频器等

  前置放大器、音频控制器、分频器上使用的电容,其容量在100pF~0.1μF之间,而扬声器分频LC网络一般采用1μF~数10μF之间容量较大的电容,目前高档分频器中采用CBB电容居多。小容量时宜采用云母,苯乙烯电容。而LC网络使用的电容,容量较大,应使用金属化塑料薄膜或无极性电解电容器,其中无机性电解电容如采用非蚀刻式,则更能获取极佳音质。

3.滤波电容

  整流后由于滤波用的电容器容量较大,故必须使用电解电容。滤波电容用于功率放大器时,其值应为10000μF以上,用于前置放大器时,容量为1000μF左右即可。当电源滤波电路直接供给放大器工作时,其容量越大音质越好。但大容量的电容将使阻

抗从10KHz附近开始上升。这时应采取几个稍小电容并联成大电容同时也应并联几个薄膜电容,在大电容旁以抑制高频阻抗的上升,如下图所示。

    图1滤波电路的并联

电容基础知识

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一、电容的作用和分类

  电容(Electric capacity),由两个金属极,中间夹有绝缘材料(介质)构成。由于绝缘材料的不同,所构成的电容器的种类也有所不同:

按结构可分为:固定电容,可变电容,微调电容。

按介质材料可分为:气体介质电容,液体介质电容,无机固体介质电容,有机固体介质电容电解电容。

按极性分为:有极性电容和无极性电容。我们最常见到的就是电解电容。

电容在电路中具有隔断直流电,通过交流电的作用,因此常用于级间耦合、滤波、去耦、旁路及信号调谐

三、电容的单位

  电阻的基本单位是:F(法),此外还有μF(微法)、pF(皮法),另外还有一个用的比较少的单位,那就是:nF(),由于电容F的容量非常大,所以我们看到的一般都是μF、nF、pF的单位,而不是F的单位。他们之间的具体换算如下:

1F=1000000μF

1μF=1000nF=1000000pF

二、电容的符号

  电容的符号同样分为国内标表示法和国际电子符号表示法,但电容符号在国内和国际表示都差不多,唯一的区别就是在有极性电容上,国内的是一个空筐下面一根横线,而国际的就是普通电容加一个“+”符号代表正极。

五、电容的耐压单位:V(伏特)

  每一个电容都有它的耐压值,这是电容的重要参数之一。普通无极性电容的标称耐压值有:63V、100V、160V、250V、400V、600V、1000V等,有极性电容的耐压值相对要比无极性电容的耐压要低,一般的标称耐压值有:4V、6.3V、10V、16V、25V、35V、50V、63V、80V、100V、220V、400V等。

六、电容的种类

  电容的种类有很多,可以从原理上分为:无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等,从材料上可以分为:CBB电容(聚乙烯),涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等。下表是各种电容的优缺点:

各种电容的优缺点:

极性名称制作优点缺点

无无感CBB电容2层聚丙乙烯塑料和无感,高频特性不适合做大容量,

2层金属箔交替夹杂好,体积较小价格比较高

然后捆绑而成。耐热性能较差。

无CBB电容2层聚乙烯塑料和有感,其他同上?br /> 2层金属箔交替夹杂

然后捆绑而成。

无瓷片电容薄瓷片两面渡金属膜体积小,耐压高,易碎!容量低

银而成。价格低,频率高

(有一种是高频电容)

无云母电容云母片上镀两层金属容易生产,技术体积大,容量小,

薄膜含量低温度稳定(几乎没有用了)

性好

无独石电容体积比CBB更小,

其他同CBB,有感

有电解电容两片铝带和两层绝缘容量大。高频特性不好。

膜相互层叠,转捆后

浸泡在电解液(含酸

性的合成溶液)中。

有钽电容用金属钽作为正极,稳定性好,容量大,造价高。(一般

在电解质外喷上金属高频特性好。用于关键地方)

作为负极。

七、电容的标称及识别方法

  由于电容体积要比电阻大,所以一般都使用直接标称法。如果是10n,那么就是10nF,同样100p就是100pF。如果是4n7就是4.7nF,不标单位的直接表示法:用1~4位数字表示,即指数标识,容量单位为pF,如独石和一些瓷片电容,一般就用指数形式,471就代表47×10^1 pF=470pF。

瓷片电容也有直接标识容量的,单位就是pF。

钽电容,一般直接标识数值,常见单位莡F。

(电容数字标识部分由pongo网友补充,在此表示感谢!)

色码表示法:沿电容引线方向,用不同的颜色表示不同的数字,第一,二种环表示电容量,第三种颜色表示有效数字后零的个数(单位为pF)

颜色意义:黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9。

电容的识别:看它上面的标称,一般有标出容量和正负极,比如钽电容上,有白线的一端就是正极,另外像电解电容,就用引脚长短来区别正负极长脚为正,短脚为负。

电阻电容序列值

电容容值系列

【单位pF】

3 P 5 P 8 P 10 P 12 P 15 P 20 P 39 P 43 P 47 P

51 P 56 P 62 P 68 P 75 P 82 P 91 P 100P 120P 150P

180P 200P 220P 240P 270P 300P 330P 360P 390P 470P

560P 620P 680P 750P

【单位nF】

1.0 1.2 1.5 1.8 2.2 2.7 3.3 3.9 4.7 5.6

10 15 18 22 27 33 39 56 68 82

【单位uF】

0.1 0.15 0.22 0.33 0.47 1.0 (1.5) 2.2 3.3

电容的计算方法是这样的:

AX表示A(一般两位数)乘上10的x次方pF,因此,104就是0.1uF.

电阻的表示方法也是这样的。

如103的电阻表示10 000欧姆,即10K,102也就是1K。

有的电容标号474,那么就表示0.47uF加上一些:

电容的基本知识

从事电子电路设计开发的,既有有多年经验的老手,也有刚入道的新手。每个人都对单片机、DSP、嵌入式系统投入了大量的时间和精力去研究,但是对于电路设计中应用最多、最广泛的元器件--电容,又有多少人能搞的很清楚呢?而这正是很多新手的疑惑之一,面对众多的电容类型:钽电解、铝电解、独石、薄膜、陶瓷、纸介质等,各种各样的封装形式:贴片、针式、方块、不规则等,不同的应用领域:去耦、滤波、高频、低频、谐振、开关电源中的应用等,您是否能做出正确的选择呢?建议大家多加补充,一方面相互学习,另一方面对新手也是一个帮助。在下抛砖引玉,引用其它网站的一些文章,(该网站名已经记不得了,现对其表示感谢)

名称:聚酯(涤纶)电容(CL)

符号:

电容量:40p--4u

额定电压:63--630V

主要特点:小体积,大容量,耐热耐湿,稳定性差

应用:对稳定性和损耗要求不高的低频电路

名称:聚丙烯电容(CBB)

符号:

电容量:1000p--10u

额定电压:63--2000V

主要特点:性能与聚苯相似但体积小,稳定性略差

应用:代替大部分聚苯或云母电容,用于要求较高的电路

名称:云母电容(CY)

符号:

电容量:10p--0。1u

额定电压:100V--7kV

主要特点:高稳定性,高可靠性,温度系数小

应用:高频振荡,脉冲等要求较高的电路

名称:聚苯乙烯电容(CB)

符号:

电容量:10p--1u

额定电压:100V--30KV

主要特点:稳定,低损耗,体积较大

应用:对稳定性和损耗要求较高的电路

名称:空气介质可变电容器

符号:

可变电容量:100--1500p

主要特点:损耗小,效率高;可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等

应用:电子仪器,广播电视设备等

名称:薄膜介质可变电容器

符号:

可变电容量:15--550p

主要特点:体积小,重量轻;损耗比空气介质的大

应用:通讯,广播接收机等

名称:高频瓷介电容(CC)

符号:

电容量:1--6800p

额定电压:63--500V

主要特点:高频损耗小,稳定性好

应用:高频电路

名称:低频瓷介电容(CT)

符号:

电容量:10p--4。7u

额定电压:50V--100V

主要特点:体积小,价廉,损耗大,稳定性差

应用:要求不高的低频电路

名称:玻璃釉电容(CI)

符号:

电容量:10p--0。1u

额定电压:63--400V

主要特点:稳定性较好,损耗小,耐高温(200度)

应用:脉冲、耦合、旁路等电路

名称:铝电解电容

符号:

电容量:0。47--10000u

额定电压:6。3--450V

主要特点:体积小,容量大,损耗大,漏电大

应用:电源滤波,低频耦合,去耦,旁路等

名称:但电解电容(CA)铌电解电容(CN)

符号:

电容量:0。1--1000u

额定电压:6。3--125V

主要特点:损耗、漏电小于铝电解电容

应用:在要求高的电路中代替铝电解电容

名称:薄膜介质微调电容器

符号:

可变电容量:1--29p

主要特点:损耗较大,体积小

应用:收录机,电子仪器等电路作电路补偿

名称:陶瓷介质微调电容器

符号:

可变电容量:0。3--22p

主要特点:损耗较小,体积较小

应用:精密调谐的高频振荡回路

独石电容最大的缺点是温度系数很高,做振荡器的稳漂让人受不了,我们做的一个555振荡器,电容刚好在7805旁边,开机后,用示波器看频率,眼看着就慢慢变化,后来换成涤纶电容就好多了.

独石电容的特点:

电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定,耐高温耐湿性好等。

应用范围:

广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。

容量范围:

0.5PF--1UF

耐压:二倍额定电压。

里面说独石又叫多层瓷介电容,分两种类型,1型

性能挺好,但容量小,一般小于0。2U,另一种叫

II型,容量大,但性能一般。

就温漂而言:

独石为正温糸数+130左右,CBB为负温系数-230,用适当比例并联使用,可使温漂降到很小.

就价格而言:

钽,铌电容最贵,独石,CBB较便宜,瓷片最低,但有种高频零温漂黑点瓷片稍贵.云母电容Q值较高,也稍贵.

电容是电子设备中大量使用的电子元件之一,广泛应用于隔直,耦合,旁路,滤波,调谐回路,能量转换,控制电路等方面。电容的频率特性:随着频率的上升,一般电容器的电容量呈现下降的规律。电容的型号命名方法:(依据GB2470-81)第一部分:用字母表示产品的名称 C第二部分:用字母表示产品的介质材料:A钽电解 B聚丙乙烯等非极性薄膜 C高频陶瓷 D铝电解 E其他材料电解 G合金电解 H纸膜复合 I玻璃铀 J金属化纸介 L聚酯等极性有机薄膜 N铌电解 O玻璃膜 Q漆膜 S,T低频陶瓷 V,X云母纸 Y云母  Z 纸。注:用B表示除聚苯乙烯外其他电容时,在 B后再加一字母以分别具体材料。用L表示聚酯以外其他薄膜电容时,方法同。电容器的绝缘电阻:直流电压加在电容上,并产生漏导电流,两者之比称为绝缘电阻. 当电容较小时,主要取决于电容的表面状态,容量〉0.1uf时,主要取决于介质的性能。电容的时间常数:为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数,他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。电容的损耗因素:电容在电场作用下因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值,电容的损耗主要由介质损耗,电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。 在直流电场的作用下,电容器的损耗以漏导损耗的形式存在,一般较小,在交变电场的作用下,电容的损耗不仅与漏导有关,而且与周期性的极化建立过程有关。薄膜电容目前大量生产的塑料薄膜电容器有聚苯乙烯,聚乙烯,聚丙烯,聚四氟乙烯,聚酯(涤纶),聚碳酸酯,复合膜等。1. CL21/CBB21金属化膜电容器(CL21-B/CBB21-B金属化膜盒式),使用金属化聚酯/聚丙烯薄膜为介质/电极采用无感卷绕方式,环氧树脂包封而成,具有电性能优良、可靠性好、耐高温、容量范围宽,体积小,自愈性好,寿命长的特点,主要应用于电视机、电脑显示器、节能灯、镇流器、通讯设备、电脑网络设备、电子玩具等直流和VHF级信号隔直流、旁路和耦合/高频、交流、脉冲、耦合电路中起滤波、调频、隔直流及时间控制等作用。2. CBB22(MKP91)金属化聚丙烯膜直流电容器。以金属化聚丙烯膜作介质和电极,用阻燃绝缘材料包封单向引出,具有电性能优良、可靠性好、损耗小及良好的自愈性能。用途:本产品广泛使用于仪器、仪表、电视机、收音机及家用电器线路中作直流脉动、脉冲和交流将压用,特别适用于各种类型的节能灯和电子整流器。CBB91 型金属化聚丙烯电容器特点与用途:绝缘带外包裹,环氧树脂灌封,轴向引出。具有高绝缘、低损耗,频率特性好,等效串联电阻低等特点。适用于音响的分频器、功率放大器,及后置补偿电路中,也适用于电子设备的直流交流和脉冲电路中。3. CL20 (MKT83)金属化聚酯膜扁轴向电容器(金属化涤纶电容)。特点:以金属化聚酯膜作介质和电极,用阻燃胶带外包和环氧树脂密封,具有电性能优良、可靠性好、耐高温、体积小、容量大及良好的自愈性能。用途:本产品适用于仪器、仪表及家用电器的交直流电路。广泛用于音响系统分频电路中。4. CL20/CBB20轴向金属化膜电容器非感应式结构,具有电性能优良、可靠性好、耐高温、体积小、容量大,高频损耗小,过电流能力强,适用于大电流,绝缘电阻高,自愈性好,寿命长,温度特性稳定,广泛用于仪器、仪表及家用电器交直流线路,变频、分频等交流、大脉冲电路,尤其是高保真要求的音响分频器电路。5. CL19(MKT82)金属化聚酯膜圆轴向电容器。特点:以金属化聚酯膜作介质和电极,用阻燃胶带外包和环氧树脂密封,具有电性能优良、可靠性好、耐高温、体积小、容量大及良好的自愈性能。用途:本产品适用于仪器、仪表及家用电器的交直流电路。广泛用于音响系统分频电路中。6. CBBX2(MPX MKP41)金属化聚丙烯膜抗干扰电容器。采用金属化锌铝聚丙烯膜作介质和电极,用耐高温阻燃塑壳、环氧树脂封装,单向引出结构,该产品有较高抗外电干扰性能,可靠性高、损耗小及良好的自愈特性,有较好的安全防护作用。本产品广泛使用于彩电、电动工具、无线连接器、跨电源线路、电磁干扰滤波器、电源开关和大功率的电子整流器。7. CBB13型无感电容器。适用:节能灯、镇流器、彩电及电子整机、电子仪器高频、直流、交流和大电流脉动电路。8. CL233X超小型电容器(校正电容)使用进口超小型金属化聚酯膜为介质/电极采用采用无感卷绕方式,主要适用于电视机、电脑显示器、节能灯、镇流器、程控交换机、电脑网络设备、VCD/DVD、精密电子仪器仪表等直流和VHF级信号电路、旁路电路中起隔直流、耦合、滤波等作用。耐压: 50/63V系列, 100V系列。容量: 103-105。CL21S超小型金属化聚酯膜校正电容器使用进口超小型金属化聚酯膜为介质/电极采用采用无感卷绕方式,CP线焊接引出,粉末环氧树脂包封而成,具有体积小、重量轻、容量范围宽、精度好、比容大及良好的自愈性,使用寿命长的特点,主要适用于电视机、电脑显示器、节能灯、镇流器、程控交换机、电脑网络设备、VCD/DVD、精密电子仪器仪表等直流和VHF级信号电路、旁路电路中起隔直流、耦合、滤波等作用。瓷介电容瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率,在低压低功率中又可分为I型(CC型)和II型(CT型)。I型(CC型)特点是体积小,损耗低,电容对频率,温度稳定性都较高,常用于高频电路。  II型(CT型)特点是体积小,损耗大,电容对温度频率,稳定性都较差,常用于低频电路。1. 高频圆片瓷介电容(CC):电容量:1--6800p;额定电压:63--500V;主要特点:高频损耗小,稳定性好.应用:高频电路。低频瓷介电容(CT)。电容量:10p—4.7u。额定电压:50V--100V。主要特点:体积小,价廉,损耗大,稳定性差。应用:要求不高的低频电路CC1型1类瓷介电容器。用途:CCI型1类瓷介电容器Q值高,容量稳定。用于谐振回路和需要补偿温度效应的电路中。63-500V。CS1型3类瓷介电容器。用途:作超高频、宽频带旁路电容器及耦合电容器或使用于对损耗角正切、绝缘电阻要求不高的电路中。25V-50VCT71型2类交流瓷介电容器。用途:各类电子、电器设备,用于天线耦合,开关电路及跨接电源线等。250VacCT81型2类高压瓷介电容器。用途:适用于1~3kV直流高压旁路和耦合电路。开关电源的缓冲电路。2. 独石(多层陶瓷)电容器的特点:电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定,耐高温耐湿性好等。应用范围:广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。容量范围:0.5PF--1UF。耐压:二倍额定电压。独石又叫多层瓷介电容,分两种类型,1型性能挺好,但容量小,一般小于0。2U,另一种叫II型,容量大,但性能一般。独石电容最大的缺点是温度系数很高,做振荡器的稳漂让人受不了。就温漂而言:独石为正温糸数+130左右,CBB为负温系数-230,用适当比例并联使用,可使温漂降到很小.云母电容云母电容是性能优良的高频电容之一,广泛应用于对电容的稳定性和可靠性要求高的场合。 云母电容(CY):电容量:10p—0.1u。额定电压:100V--7kV。主要特点:高稳定性,高可靠性,温度系数小。应用:高频振荡,脉冲等要求较高的电路。纸介电容纸介电容因其比率电容大,电容范围宽,工作电压高,成本低而广泛使用,缺点是稳定性差,损耗大,只能应用于低频或直流电路,目前已被合成膜电容取代,但在高压纸介电容中还有一席之地。1.CZ52容量:0.1—0.25uf 额定工作电压:110—250v。绝缘性能:0.1uf为10000monh 0.25uf 为8000mohm。损耗角正切:(正常气候条件下) <0.01 2.金属化纸介电容器:他的电极是利用真空蒸发的方法在电容器纸上沉积一层金属薄膜做成,因而体积较纸介电容小得多。他的主要特点是具有自愈作用,当介质发生局部击穿后,其电性能可立即恢复到击穿前的状态。金属化纸介电容虽克服了纸介电容的一些缺点,但是仍然不能离开纸,他们的化学稳定性差,并且随着频率的上升损耗急剧增加,因此不适于高频电路。CJ10容量:0.01—1uf 额定工作电压:160—400v 。损耗角正切:(正常气候条件下) <0.015 。电解电容1. CD71 无极性铝电解电容器。本产品具有体积小、容量大、损耗低、无极性并能耐高温等特点。本产品适用于仪器及电子设备的极性翻转或极性交换线路中,特别适用于音响分频网络。在音响电路中,用得最多的是有机、无机介质和电解电容。有机电容又称为薄膜电容,常见的有纸介、聚酯(MYLAR,即涤沦)、聚苯乙烯(MKS)、聚丙烯(MKP)、聚碳酸酯(MKC)、聚对苯二甲酸酯(MKT)等。其中纸介、MYLAR和MKP三种电容又各自分为有、无金属化介质两种。金属化介质的具有“自愈”作用,抗击穿能力强,性能较好。MYLAR和MKP电容的无感性很好。无机电容以云母、瓷介、独石、玻璃釉等为主。电解电容以铝电解为代表,体积小而容量可以做到很大(几十微法至两、三万微法),但其频率特性、温度特性都较差,绝缘电阻明显低于薄膜电容(几百兆欧),漏电阻大,介质损耗也较大,故只适合于作电源退耦,不宜用于音频耦合及滤波器中。金属化聚丙烯电容(MKP)是一款顶级的发烧电容。国内以新德克、天逸等牌子著名,而国外则有法国的SOLEN、德国的VIMA等闻名。该电容品质一流,其容量误差小于3%,自身的电感量均小于50nH,其谐波失真(THD)小于0.001%,非常适宜作为级间耦合电容,而且还可用于并联在电源退耦的电解电容两端,可以有效地抑制电力网带来的高频干扰。但需要指出的是,MKP电容虽然性能超卓,但并非是音频电路的“万能武器”,如在D/A转换器的输出滤波器中就不宜选用MKP电容,因为其超高频性能并不太好。如实在要用,也只能用于低倍的D/A中。高级的D/A转换器,以MKS为佳,但这类电容的致命弱点是耐热性能较差,焊接时宜掌握好时间。前面提到电解电容不宜用于音频耦合,但对于一些音频专用电解电容如BLACKGATE、ELNAFORAUDIO、SILMIC牌电容则另当别论。这类电容的性能是非常不错的,尤其是ELNASILMIC电容。笔者曾在自己的LM3886功放上做过试验,当用两只ELNASILMIC22μF/25V换下LM3886输入端的Rubycon(红宝色)的BLACKGATE22μF/25V。开机放音时,明显感觉音色变了,颇有几分胆色,高、中音不再抢耳,低频下潜了许多。惊喜之余,细细观赏,这种电容外观为棕色,印有ELNASILMIC金字,体积较大,接线脚为无氧铜材料,其介质损耗角tg&特别低(仅0.07),与MKP的电容王牌SOLEN已相差无几,难怪有如此好的表现。由于电解电容的高频特性较差,我们还可以在音频专用电解电容两端并联一只薄膜电容,但其容量不应小于电解电容容量的1/3,尤以MKP、MKT电容为佳。钽电解电容是近几年冒出来的一匹“黑马”,与铝电解电容相比,漏电小,耐压高,温度特性好,体积小,曾被发烧友大量用于替代铝电解电容,但其效果并不理想,中、高频的表现柔软乏力,缺乏一种清晰的分析力和穿透力,声象定位也不理想,而且其容量不能做得很大,价格较贵,其谐波失真(0.7%~0.9%)反而比铝电解电容(0.011%~0.025%)更大。相信发烧友都听说过有发烧补品电容吧!但你知不知各种电容各有什么特性和音质表现呢?本文就此问题向广大发烧友一一介绍:日本ELLNA补品电容:用料上乘,引脚采用无氧铜,线材粗壮铝箔采用陶瓷微粒工艺,外观点体积交大,最为突出表现是损耗角tgδ特别低。ELNA补品电容有几种品种:CERAFINE(红袍)、DUOREX(紫袍)、LongLife、SILMIC(棕神)、FOR  AUDIO。CERAFINE(红袍)和DUOREX(紫袍)音质表现:音色通透、速度均属中等;FOR  AUDIO的音质表现像青春少女一样、音色甜美;LongLife和SILMIC(棕神)的音质表现:快速有力,适合表现现代音乐。另外ELNA还有蓝袍,其音质表现中等。黑金刚(Black Gate F):音色醇厚,对增加器材的音乐表现力大有帮助,适用于耦合。松下金字补品电容:音色均衡, 最为突出表现是损耗角tgδ值在100Hz与1KHz相差无几。红宝石(RUBYCON)电容:作耦合高低频响较好、主要用在电源退耦,红宝石电容是国产功放用得最多的品牌。日本三洋OS-CON电容:这种电容的电解质是固态的,其耐压不高,OS-CON电容优点是高频性能好,寿命长,是普通电容所不能比的。音质表现:音色甜美,非常自然。钽电容:流电小、稳定性好,但作耦合高频柔软无力、缺乏穿透力、因而不适合作耦合,作退耦较好。德国WIMA电容:特点是速度快、损耗低,音质表现自然平衡,音色偏冷,适合多种听音要求。WIMA电容品种较多,最好是Black Box,其次是MKP、 MKS,现在市面上多为拆机品,价格也不算贵。另一种是德国ERO电容,特性与WIMA相近。法国SOLEN电容:音色浓郁阴柔,富有音乐感。过于火辣的器材适合用SOLEN进补,最为突出表现是损耗角tgδ特别低,不愧为世界王牌聚丙烯电容!RIFA(澳洲瑞典)电容:这种电容最适合进补分频器,对高频穿透力极强。荷兰汤姆逊MKP电容:音质表现自然平衡,中高频比较丰富。与WIMA电容较接近。日本乐声金属化无感CBB电容:音质表现自然平衡比荷兰汤姆逊MKP电容略低一筹音响电路中通常包括滤波、耦合、旁路、分频等电容,如何在电路中更有效地选择使用各种不同类型的电容器对音响音质的改善具有较大的影响。耦合电容耦合电容的容量一般在 0.1μF - 10μF 之间,以使用云母、聚丙烯、陶瓷等损耗较小的电容音质效果较好,主要品牌有:1、德国WIMA电容:特点是速度快、损耗低,音质表现自然平衡,音色偏冷,适合多种听音要求。WIMA电容品种较多,最好是Black Box,其次是MKP、 MKS,现在市面上多为拆机品,价格也不算贵。另一种是德国ERO电容,特性与WIMA相近。2、法国SOLEN电容:音色浓郁阴柔,富有音乐感。过于火辣的器材适合用SOLEN进补,最为突出表现是损耗角tgδ特别低,不愧为世界王牌聚丙烯电容!3、RIFA(澳洲瑞典)电容:这种电容最适合进补分频器,对高频穿透力极强。4、荷兰汤姆逊MKP电容:音质表现自然平衡,中高频比较丰富。与WIMA电容较接近。前置放大器、分频器等前置放大器、音频控制器、电子分频器上使用的电容,其容量在 100pF- 0.1μF 之间;宜采用云母,苯乙烯电容。音箱分频 LC 网络一般采用 1μF- 数10μF 之间容量较大的电容,目前高档分频器中采用 MKP、MKT、CBB 电容较多。 LC 网络使用的电容,容量较大,应使用金属化塑料薄膜或无极性电解电容器,其中无机性电解电容如采用非蚀刻式,则更能获取极佳音质。滤波电容整流后由于滤波用的电容器容量较大,故必须使用电解电容。滤波电容用于前置放大器时,容量为 1000μF 左右即可,用于功率放大器时,其值应为10000μF 以上。当电源滤波电路直接供给放大器工作时,其容量越大音质越好。但大容量的电容将使阻抗从 10KHz 附近开始上升。这时应采取几个稍小电容并联成大电容同时也应并联几个薄膜电容作为高频补偿,在大电容旁以抑制高频阻抗的上升。